当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.*电子浓度增大,空穴浓度减小
问题描述:
当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.*电子浓度增大,空穴浓度减小
答
温度升高时,电子共有化运动加剧,能级分裂加剧,因些允带变宽,禁带变窄.电子更容易从价带跃到导带,所以温度升高,电子空穴对增多,即电子空穴浓度增加,即本征载流子浓度增加.
当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.*电子浓度增大,空穴浓度减小
温度升高时,电子共有化运动加剧,能级分裂加剧,因些允带变宽,禁带变窄.电子更容易从价带跃到导带,所以温度升高,电子空穴对增多,即电子空穴浓度增加,即本征载流子浓度增加.