PN结中,什么叫多子和少子

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• 关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子只定义在耗尽区之外的N区或P区中.那书上的这句话中的多子少子是什么?
• 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能*移动的负电荷,而N区带有不能*移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的*电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——*电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.
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