关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子只定义在耗尽区之外的N区或P区中.那书上的这句话中的多子少子是什么?
问题描述:
关于pn结中多子少子
在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子只定义在耗尽区之外的N区或P区中.那书上的这句话中的多子少子是什么?
答
多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,*电子少,空穴是多子*电子是少子;在N型半导体中正好相反,*电子是多子,空穴是少子.
也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载流子”的,含义一样.