三极管截止时和饱和时,发射结和集电结是什么状态?正偏反偏我知道

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.Uces是晶体管在饱和状态时集电极与发射极之间的压降，s代表saturation。Uces随晶体管饱和深度而变，基极电流越大，饱和越深，Uces越小，一般小功率管的Uces可小到0.1V左右。如果需要晶体管工作在饱和状态，当然Uces越小越好，越小则晶体管本身损耗的功率就越低（饱和状态时晶体管本身损耗功率＝Ic×Uces）。例如某开关管在Ic=2A时Uces＝0.2V，则损耗功率为2A×0.2V＝0.4W，若饱和压降过大（或没有进入深饱和状态），例如Uces＝0.6V，则管子本身的损耗功率将达1.2W，假设这支管子的耗散功率为1W，这将导致管子过热烧毁。所以在开关管里这是一项重要参数，因为开关管总是处于“截止－深饱和－截止－深饱和......”的状态，饱和压降越小，就越允许在饱和时通过更大的电流，甚至远远超过规定的Ic值（开关管由于饱和状态的时间很短，其峰值电流远超过平均电流）。当然在放大状态下，这项参数就不显得很重要了。书上写着Ube=Uce是临界饱和线，是正确的，但要注意，此时晶体管并未完全进入饱和状态，只是说在此状态下已经失去放大作用，这是一个临界点。设Ube＝0.65V，这是发射结正向偏置时的结电压，即使基极偏流继续增加，也可以认为这个0.65V是不变的，此时集电极电流增加，负载电阻上的压降增大，当集电极电压（因负载电阻上的压降增大而）下降到与基极电压近似相等时，集电结已不再是反偏而进入零偏置了（就是书上写的Ube=Uce），此时晶体管失去线性放大作用，但并未完全进入饱和状态。继续增加基极的偏流，此时集电极电流基本已无法再增加（因为负载电阻的限流缘故），集电极电压将会继续下降，使集电结也进入正偏，这才进入饱和直至深饱和状态。注意，对于晶体管来说，饱和状态下的集电极电流并不确定，是否进入饱和状态还要由负载电阻Rc来决定，负载电阻上的压降越大，Uce就越小，就越容易进入饱和状态。因此不同大小的负载电阻，会使晶体管在不同的Ic下进入饱和状态。如果负载电阻太小（压降过小），对于小功率管来说，很可能永远也进入不了饱和状态，因为已经烧毁了。不论发射结还是集电结，正偏时它两端的电压都是0.65V，当然随着电流增大也会增大些。对于硅管来说这是个临界值，低于此值PN结不导通（锗管是0.25V）。反偏时理论上讲近似于断路，特别是硅管，反偏的漏电流是微安级别的。三极管表面上能看做两个二极管，也可以拿集电结当作二极管用（发射结不可以），但实际中毫无疑问两个二极管不可能组成一个三极管。