P型硅怎么形成pn结

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• 电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于（ ） A 发射结正偏、集电结反偏 B 发射结正偏、集电结正偏C 发射结反偏、集电结正偏 D 发射结反偏、集电结反偏3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是（ ）A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管4、PN结加正向电压时,其正向电流是由（ ）的.A．多数载流子扩散而成 B．多数载流子漂移而成 C．少数载流子扩散而成 D．少数载流子漂移而成5、P型半导体是在本征半导体中加入（ ）物质后形成的A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素这是单选题，只有一个
• 模拟与数字电路 判断题 1共射电路输出端出现顶部切削的失真,是饱和失真.正确错误2一个放大器对信号源影响要小,带负载能力要强.这就需要使放大器的输入电阻高,输出电阻低.正确错误3三极管的放大状态为：发射结反偏,集电结正偏.正确错误4在本征半导体中掺入少量的铝元素,可以形成P型半导体,多子是空穴.正确错误5通过半导体中的电流为空穴电流.正确错误
• PN结外加反向电压,为什么处于截止状态书上说外反向电压使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧飘逸运动,形成反向电流,因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与飘移运动,反向电流也非常小,问题就出在这里,原本P区少子(*电子)很少是没错,可不是外加了电场吗?源源不断的电场负极的电子进入P区,那还叫少?
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• 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能*移动的负电荷,而N区带有不能*移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的*电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——*电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.
• 为什么二极管PN结加反向电压,PN结会加宽,加反向电压后PN结P侧的电子一样可以到达PN结的N侧呀,也就是漂移电流,为什么会很小的呢?想了几天不能理解,请高手帮我解惑,为什么加反向电压形成的漂移电流很小，可以认为截止的。PN结加反向电压后，P区有那么多电子完全可以到达N区呀？教科书上说的都是没有载流子
• 从化学结构上分析1·普通半导体 2·N型半导体 P型半导体 PN结 的单向导电性化学上一种物质导电 可以解释为π键 离子穿透空隙 等等 现在可以用这些解释上边的问题吗?
• 为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,空穴在移动,负离子不是也相当于在移动(电子转移使负电荷转移)吗,为什么不把负离子也当做多子呢P型半导体电流是空穴电流和负离子电流之和吗如果能给出一个具体的情景描述就好了,比如在电场左右下,电子怎么从某某共价键跃迁至某某空穴形成新的共价键,这个空穴是正电或是负电(应该正负都有吧),在宏观下怎么看成电流（正电流、负电流也都有吗,是否总电流是两者之和呢）?
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