为什么当光线照射太阳能电池表面时,PN结中的N型半导体的空穴会往P型区移动?

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• 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能*移动的负电荷,而N区带有不能*移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的*电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——*电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.
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• PN结两边加正偏,空间电荷区为什么会变窄?（从电荷的移动方向分析）PN结两边加正偏,即P型一边接正极,N型一边接负极.空间电荷区为什么会变窄?（从电荷的移动方向分析）我查了一些资料,上面说：“如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽.”我的理解是：加正偏时,空穴电子都向界面运动.会相互复合而消失,所以不能移动的的带电离子增多,空间电荷区变宽.反之,加反偏空穴电子相界面相反方向运动.空穴电子与不能移动的带电离子结合,于是空间电荷区变窄.请高手回答一下我的理解中到底是哪里错了?PN结两边加正偏--PN结变窄--扩散运动>漂移运动--多子扩散形成较大的正向电流--PN结导通,在扩散运动大于漂移运动之后应该是空间电荷区增宽,内电场增强,然后扩散运动等于漂移运动.那PN结又是怎么实现连续导通的?
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