半导体的平均电离能和禁带宽度的区别
问题描述：
半导体的平均电离能和禁带宽度的区别
比如硅的禁带宽度是1.12eV,但是它的平均电离能为3.62eV,他们两者的区别是什么?比如给了一个硅原子1.12eV的能量,不就能使满带的电子跃迁到导带上,并且在基态上形成一个空穴,这样不就形成了一个电子空穴对了吗?可是还有个平均电离能的概念,意思说当外界能量为3.62eV的粒子入射到半导体上时,就会产生一对电子空穴对,定义是：产生一个电子空穴对平均所消耗的能量.这样不就跟禁带宽度的概念有矛盾吗?
最好是半导体材料相关专业的研究生以上学历的回答一下,
可是导电不就是因为*电子吗?照你说的,禁带宽度是电子跃迁到空带上,仍然没有离开原子系统,那么半导体是怎么能导电的呢?或者说本征半导体能具有导电能力吗?
答
呵呵,似乎这种问题不需要硕士研究生来回答吧,我是学化学专业的这种问题你看我用化学知识解释的如何?首先我们得先明确一下在化学中电离能的概念,1mol气态基态原子失去1mol电子所得到1mol气态基态正离子所需要的能量称...