掺入杂质和提高温度都能使半导体的电阻率减小,这两种减小半导体电阻率的方法本质上有什么区别?

问题描述:

掺入杂质和提高温度都能使半导体的电阻率减小,这两种减小半导体电阻率的方法本质上有什么区别?

有本质的区别,掺入杂质通常是掺入三价或五价的物质,使半导体的空穴或电子增多,有利导电;
而提高温度是为了使半导体中原子的外层电子更活跃而离开原子核的约束成为*电子和空穴.
但共同点都是通过移动的电子和空穴来导电的.