加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时,二极管(),硅管的死区电压(),锗管的死区电压(),加在...加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时,二极管(),硅管的死区电压(),锗管的死区电压(),加在其两端的正向电压大于死区电压时,二极管导通,导通后,硅管的正向压降为(),锗管的为()
问题描述:
加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时,二极管(),硅管的死区电压(),锗管的死区电压(),加在...
加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时,二极管(),硅管的死区电压(),锗管的死区电压(),加在其两端的正向电压大于死区电压时,二极管导通,导通后,硅管的正向压降为(),锗管的为()
答
截止 硅管的死区电压0.5V 锗管的死区电压0.2V
导通 硅管的正向压降为0.7V 锗管的正向压降0.3V