半导体物理,陷阱,状态密度,
问题描述：
半导体物理,陷阱,状态密度,
1.我对半导体物理里陷阱的概念不是很清楚,以n型半导体为例,其之所以是n型,是因为它掺入了施主杂质,产生了施主能级,那陷阱是不是也可以看成是一种能级,只不过它比施主能级还要低一些（或者说更深一些）,并且这个陷阱能级也是通过杂质产生的还是材料本身的缺陷产生的?
2.关于费米分布和费米能级,我个人觉得电子占据能级的几率既然服从费米分布,而费米分布是与E成e指数的倒数关系,那么费米能级以下就应该不是被电子完全占据的,不知道我这个想法是不是对的?
3.导带状态密度N(E)正比与E的1/2次方,价带也是如此.另外,对于n型半导体,施主杂质的状态密度就是施主杂质的浓度,那么陷阱的状态密度是什么呢,就是产生陷阱的杂质（或者是缺陷）浓度吗?
答
1.n型半导体是因为载流子是negative的,不能简单的说掺入了施主杂质,因为有些情况下存在本征缺陷也会形成n型半导体.陷阱可以看作能级,但是不一定比施主能级低.比如电子陷阱,那么比施主能级高的就不被离化的施主填充,如果比施主能级低的就首先被施主能级填充,而在其未填满之前不会使得离化的电子首先成为导带的*电子.陷阱能级往往是材料本身的缺陷引起的,因为杂质引起的通常成为施主或受主能级,虽然有些深能级往往也会俘获载流子.
2.你的思考是对的,不是完全的被电子占据,但是正是因为载流子服从e指数的分布,可以认为在远大于费米能级kT个单位的范围外,能级全部填充或者空余.总之,费米能级是电子填充能级的平均水平.
3.陷阱不要状态密度表示,一般用cm^-2eV^-1来表示,称为陷阱态密度.