1.电流串联负反馈可以（ ）.

1.电流串联负反馈可以（ ）.
A.稳定输出电压并使ri升高
B.稳定输出电压并使ro升高
C.稳定输出电流并使ro升高
D.稳定输出电流并使ro降低
满分：4 分
2.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为（ ）.
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
满分：4 分
3.当负载变化时,要使输出电流稳定不变,并可提高输入电阻,应引入（ ）负反馈
A.电压并联
B.电流并联
C.电压串联
D.电流串联
满分：4 分
4.硅二极管的正向压降在0.7基础上增加10%,则它的电流（ ）
A.增加10%
B.增加10%以上
C.基本不变
D.不变
满分：4 分
5.放大电路产生零点漂移的主要原因是：（ ）
A.电压增益太大
B.环境温度变化
C.采用直接耦合方式
D.采用阻容耦合方式
满分：4 分
6.电压串联负反馈可以（ ）.
A.提高ri和ro
B.提高ri降低ro
C.降低ri提高ro
D.降低ri和ro
满分：4 分
7.改变输入电阻和输出电阻,应引入（ ）.
A.直流负反馈
B.交流负反馈
C.正反馈
满分：4 分
8.对于放大电路,所谓开环是指（ ）.
A.无信号源
B.无反馈通路
C.无电源
满分：4 分
9.对于放大电路,在输入量不变的情况下,若引入反馈后（ ）,则说明引入的反馈是正反馈.
A.净输入量增大
B.净输入量减小
C.输入电阻增大
满分：4 分
10.对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
A.0.1
B.0.5
C.0.7
满分：4 分
11.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )
A.交流功率
B.直流功率
C.平均功率
满分：4 分
12.当PN结（）时,回路中产生一个较大的正向电流,PN结处于（ ）状态；当PN结（ ）时,回路中的反向电流非常小,几乎等于零,PN结处于（ ）状态.
A.正向偏置 截止 反向偏置 导通
B.正向偏置 导通 反向偏置 截止
C.反向偏置 截止 正向偏置 导通
D.反向偏置 导通 正向偏置 截止
满分：4 分
13.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）
A.可获得很大的放大倍数
B.可使温漂小
C.集成工艺难于制造大容量电容
满分：4 分
14.典型差放的RE对（ ）有抑制作用
A.差模信号
B.共模信号
C.差模和共模性信号都
D.差模和共模信号都没
满分：4 分
15.共模信号是指大小相等,极性（ ）的信号.
A.相同
B.相反
满分：4 分
二、判断题（共 10 道试题,共 40 分.）V 1.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000.( )
A.错误
B.正确
满分：4 分
2.互补输出级应采用共集或共漏接法.( )
A.错误
B.正确
满分：4 分
3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点.（ ）
A.错误
B.正确
满分：4 分
4.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
A.错误
B.正确
满分：4 分
5.当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W.（ ）
A.错误
B.正确
满分：4 分
6.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小.（ ）
A.错误
B.正确
满分：4 分
7.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
A.错误
B.正确
满分：4 分
8.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系.（ ）
A.错误
B.正确