半导体中载流子数量与电导率的关系我想确认一下二者有关系吗?我的理解是,无论是掺杂半导体还是本征半导体,载流子数量增大,导电能力越强,电导率也越高啊,对吗?最好可以给出量化公式,谢谢诶!

问题描述:

半导体中载流子数量与电导率的关系
我想确认一下二者有关系吗?
我的理解是,无论是掺杂半导体还是本征半导体,载流子数量增大,导电能力越强,电导率也越高啊,对吗?
最好可以给出量化公式,谢谢诶!

图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系:

等号左边的符号即为电导率;等号右边第一个字母n即为电子浓度(在P型半导体中则为空穴浓度p),一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比;第二个字母q为电子电荷;第三个字母μn(P型用μp)称为电子(空穴)迁移率,与浓度无关. 

再补充一句,你理解的很对,但在半导体中不适用“数量”这个词,一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~