半导体一定是随温度的提高导电能力也随之提高吗?要有依据

问题描述:

半导体一定是随温度的提高导电能力也随之提高吗?
要有依据

不清楚,我只知道硅是这样的。低温时内部的*电荷大部分都被固定了,

半导体的导电机制和金属的导电机制不同,金属温度升高,电子受到的散射更厉害,运动受到抑制,因此导电能力降低;但是半导体中,温度升高之后,多子数目增加,导电能力也增加(当然仅仅是在一定的温度范围内),当温度继续升高,导电能力达到饱和。具体可以看看半导体物理,任何一本教材里面都会介绍的比较详细的。

一般是这样的,但是在一定的温度范围(对于Si,室温)内则否:
当掺入的施主或者受主杂质完全电离以后,若温度再升高,多数载流子浓度不再随温度而变化,而载流子迁移率μ却随之降低,就使得电导率σ=qnμ减小(n型半导体);若温度进一步升高到本征激发起作用时,虽然迁移率仍然下降,但本征载流子浓度却很快增加,则导致电导率又增大.