掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化
问题描述：
掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化
答
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移率反而...