砷化铟的化学式是什么

中文名称：砷化铟^[1]英文名称：indium arsenide英文别名：Indium arsenide; Indiam arsenide; Indium arsenide (InAs); Indium monoarsenide; arsanylidyneindium; arsenic(-3) anion; indium(+3) cation
  砷化铟
CAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料.常温呈银灰色固体,具有闪锌矿型的晶体结构,晶格常数为0.6058nm,密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态).能带结构为直接跃迁,禁带宽度(300K)0.45eV.InAs相图如图所示.^[2]InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa,可在常压下由熔体生长单晶.常用的有HB和LEC方法,单晶直径达φ50mm.InAs是一种难于纯化的半导体材料.非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm,室温电子迁移率3.3×10cm/(V·s),空穴迁移率460cm/(V·s).硫在In．As中的有效分凝系数接近1,故用作n型掺杂剂,以提高纵向载流子浓度分布的均匀性.工业用的InAs(s)单晶,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm.InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料.InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器.