电子排布式的问题

问题描述:

电子排布式的问题
为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1(外围)
而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好)

要能量最低,4s后为3d,但根据能量最低原理,1个4s电子激发到3d轨道上.3s和3p轨道之间能量差较大,不易激发.