高二物理（带电粒子在电场中运动）初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪些办法A 增大偏转电压U2 B 减小板长L C 减小板间距离d D 增大加速电压U1说一下怎么列式,另外,因为有初速度,平行于电场方向是要列vot+1/2at^2的吗?
问题描述：
高二物理（带电粒子在电场中运动）
初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向
位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.
为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪些办法
A 增大偏转电压U2 B 减小板长L C 减小板间距离d D 增大加速电压U1
说一下怎么列式,
另外,因为有初速度,平行于电场方向是要列vot+1/2at^2的吗?
答
题目都做烂了，这个题至少做过5遍。。。答案楼上有，想说的是平行电场方向因为没有初速度，所以用x=1/2at²即可。
答
A. U/d*q=1/2at^
答
A.
你可以由F=ma和t=L/Vo推出
y=1/2at^2=UqL^2/2mdVo^2,
由此可知：当U2增大时,y（每单位偏转电压引起的侧向位移）增大,其他答案不符合.
因为电子偏转做累平抛运动,应列y=1/2at^2,垂直电场的就是x=Vot