PN结内电场为什么是从N指向P区?

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• PN结外加反向电压,为什么处于截止状态书上说外反向电压使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧飘逸运动,形成反向电流,因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与飘移运动,反向电流也非常小,问题就出在这里,原本P区少子(*电子)很少是没错,可不是外加了电场吗?源源不断的电场负极的电子进入P区,那还叫少?
• 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能*移动的负电荷,而N区带有不能*移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的*电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——*电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.
• PN结相关问题在PN结两端加正向电压,此时外电场将多子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原平衡,使扩散运动加剧,而漂移运动减弱,由于电源的作用,扩散运动将源源不断地进行,从而形成正向电流,PN结导通.此处为什么扩散运动可以源源不断地进行?多子是无穷尽的吗?还是电子经扩散运动与空穴结合后在其原位置又产生一电子,如此源源不断?
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