半导体中通过电流的大小是由载流子的数目决定还是由载流子的速度决定?

问题描述:

半导体中通过电流的大小是由载流子的数目决定还是由载流子的速度决定?

半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.
而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定(迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s);
半导体中的载流子一般包括*电子和空穴两种.
所以,半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定,也不是仅仅由载流子的速度来决定.那么对一个特定的三极管来说,载流子的数目是确定的吗?我看到这么一句话“只要保持Ube不变,则从发射区扩散到基区的电子数目不变”。言外之意是不是就说只要Ube变了,发射区的多数载流子电子的数目就会增多?当一个三极管做好以后,载流子的浓度是确定的,即三极管的载流子的数目是确定的。对于NPN管,“只要保持Ube不变,则从发射区扩散到基区的电子数目不变”,是对的。在这里,Ube决定了从发射区扩散(迁移)到基区的电子速度。所以,在相同的时间内,Ube越大则从发射区扩散到基区的电子数目越多;反之,Ube越小则从发射区扩散到基区的电子数目越少。这里不包括三极管进入到饱和区和截止区的情况。