1、半径为R的3/4圆弧形导线,通以稳恒电流I,置于均匀外磁场中,且B与导线所在平面平行,则求载流导线所受安培力大小.
问题描述：
1、半径为R的3/4圆弧形导线,通以稳恒电流I,置于均匀外磁场中,且B与导线所在平面平行,则求载流导线所受安培力大小.
为什么答案是IBR 而不是2/3 paiIBR
2、S1和S2是波长均为λ的两个相干波波源,相距3λ/4.S1的相位比S2超前π/2,若两波单独传播时,在过S1和S2的直线上各点的强度相同,不随距离变化,且两波强度都是I0,则在S1、S2连线上S1外侧和S2外侧各点,合成波强度分别是?
3、一电子以速度V垂直进入磁感强度为B的均匀磁场中,此电子在磁场中运动的轨迹所包围的面积内的磁通量：正比与B,反比于V^2.为什么?
答
1,由于3/4圆弧可看作一个半圆弧和一个1/4圆弧,由于电流方向相反,则这1/4圆弧的安培力和与其相连的那个1/4圆弧可以抵消（电流方向相反）,故等效于只剩下1/4圆弧受的安培力,这1/4圆弧在磁场中等效的直导线的长度就等于其半径R,故安培力为BIR
2,我懒得算了,直接叠加就可以,因为波有可叠加性
3,电子收到的洛仑兹力为evB,其作圆周运动,即evB=m*v^2/r
得 r=m*v/e*B
故其包围的面积S=Pi*r^2=Pi*(m*v/e*B)^2
磁通量=B*S=Pi*(m/e)^2*v^2/B
对电子来说,m/e是常数,故有
你的题目似乎写错了,应该是正比于v^2,反比于B