PN结外加反向电压,为什么处于截止状态
PN结外加反向电压,为什么处于截止状态
书上说外反向电压使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧飘逸运动,形成反向电流,因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与飘移运动,反向电流也非常小,问题就出在这里,原本P区少子(*电子)很少是没错,可不是外加了电场吗?源源不断的电场负极的电子进入P区,那还叫少?
可以用 单向阀来理解,当水正向通过的时候,阀门打开,水流很大,当水反向过来的时候,阀门闭合,但也有极少量的水渗漏过去.
反电压就是如此,增加了内电场相当于关闭阀门,电流过不去,而通过少子漏过去的电流太小,忽略不计,虽然是源源不断,也起不了作用.还是不能理解,为什么外电场注入的同样是电子,那就是少子喽,怎么还说少子数目少,难道注入P区的电子和所谓的P区的少子不是同一个东西?而这所谓的少子数量在温度一定是也是固定的,不会因外电场作用而改变?少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成*电子。出于该电子不是共价键中的价电子,因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子,尽管它释放出一个*电子后变成带一个电子电荷量的正离子,但它束缚在晶格中,不能象载流子那样起导电作用。这样,与本征激发浓度相比,N型半导体中*电子浓度大大增加了,而空穴因与*电子相遇而复合的机会增大,其浓度反而更小了。 少子浓度主要由本征激发决定,所以受温度影响较大。很是感谢您的帮助,分肯定要给您的,可我好笨,还是没看懂,多子少子概念我知道,这么问吧,少子数量在温度一定下是固定的,不会因外电场作用而改变?这句对吗?谢谢是的。哦,谢谢,我真是笨