霍尔效应实验中如何鉴别N型半导体和P型半导体

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• 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能*移动的负电荷,而N区带有不能*移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的*电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——*电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.
• 对半导体言,其正确的说法是?(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2）N型半导体中由于多数载流子为*电子,所以它带负电.（3）P型半导体和N型半导体本身都不带电.以上哪个答案正确?请专家解答.
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