数据统计分析4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考虑其相应的影响因素.根据经验,电极间的间隙x1、气流（作为反应物气流浓度）x2和应用在阴极的RF功率是三个可能影响刻蚀效果的因素.为了量化分析,我们现进行16次实验（包括重复实验）,实验结果见附表1.请根据实验结果,回答下面的问题：试确定工序刻蚀率的主要影响因素,并说明理由.当电极间的间隙、气流和阴极的RF功率分别为1、150和300时,给出相应刻蚀率的预测结果.能否通过适当控制得到一个最优工序刻蚀率?若存在最优的工序刻蚀率,请给出对应的相应的控制结果.附表1 实验结果序号 (cm) (SCCM) (W) (A/m)1 0.8 125 275 5502 1.2 125 275 6693 0.8 200 275 6334 1.2 200 275 6425 0.8 125 275 10376 1.2 125 275 7497

数据统计分析
4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分
在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考虑其相应的影响因素.根据经验,电极间的间隙x1、气流（作为反应物气流浓度）x2和应用在阴极的RF功率是三个可能影响刻蚀效果的因素.为了量化分析,我们现进行16次实验（包括重复实验）,实验结果见附表1.请根据实验结果,回答下面的问题：
试确定工序刻蚀率的主要影响因素,并说明理由.
当电极间的间隙、气流和阴极的RF功率分别为1、150和300时,给出相应刻蚀率的预测结果.
能否通过适当控制得到一个最优工序刻蚀率?若存在最优的工序刻蚀率,请给出对应的相应的控制结果.
附表1 实验结果
序号 (cm) (SCCM) (W) (A/m)
1 0.8 125 275 550
2 1.2 125 275 669
3 0.8 200 275 633
4 1.2 200 275 642
5 0.8 125 275 1037
6 1.2 125 275 749
7 0.8 200 275 1075
8 1.2 200 275 729
9 0.8 125 325 604
10 1.2 125 325 650
11 0.8 200 325 601
12 1.2 200 325 635
13 0.8 125 325 1052
14 1.2 125 325 868
15 0.8 200 325 1063
16 1.2 200 325 860